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奇码 2013 电子类
技术研发
本套题共5题，暂无参考答案
题目详情
第1题
画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）
第2题
2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
第3题
说出制作N-well的工艺流程。
第4题
雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
第5题
用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。
共有 5 道题目
